產(chǎn)品類別：

等離子蝕刻

ICPECVD 系統(tǒng)

原子層沉積系統(tǒng)

用于等離子蝕刻和沉積的集群配置

質(zhì)量控制計(jì)量

橢圓偏振光譜儀

光譜反射計(jì)

激光橢偏儀

原位計(jì)量/端點(diǎn)檢測

主要型號：SI 500 ICP-RIE

ICP-RIE SI 500

 Etchlab 200 RIE

產(chǎn)品介紹： SI 500 ICP-RIE 等離子刻蝕機(jī)

型號: ICP-RIE SI 500

等離子源: PTSA（三螺旋平行板天線）等離子源

襯底溫度控制: 動(dòng)態(tài)溫度控制的襯底電極，溫度范圍從-150°C至+400°C

真空系統(tǒng): 全自動(dòng)控制的真空系統(tǒng)

控制軟件: 使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的SENTECH控制軟件

用戶界面: 用戶友好的通用接口

靈活性和模塊化: 設(shè)計(jì)特點(diǎn)為靈活性和模塊化

適用材料: 可用于加工各種材料，包括三五族化合物半導(dǎo)體（GaAs, InP, GaN, InSb）、介質(zhì)、石英、玻璃、硅和硅化合物（SiC, SiGe）、金屬等

特點(diǎn):

高離子密度和低離子能量的均勻等離子體

高耦合效率和非常好的起輝性能

單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件

切換工藝非常容易

優(yōu)勢特點(diǎn)：高密度等離子體: 產(chǎn)生高離子密度和低離子能量分布均勻的等離子體

納米結(jié)構(gòu)損傷小: 由于離子能量分布較低，可以實(shí)現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)

簡單高速腐蝕: 高長徑比MEMS用硅的高速率蝕刻

室溫工藝或光滑側(cè)壁的低溫工藝: 可選擇不同的工藝條件

靈活性和模塊化設(shè)計(jì): 可根據(jù)需求進(jìn)行升級和擴(kuò)展

主要應(yīng)用：半導(dǎo)體制造: 用于半導(dǎo)體器件的刻蝕工藝

微電子加工: 用于微電子器件的精細(xì)加工

材料科學(xué): 用于各種材料的表面處理和刻蝕

科學(xué)研究: 用于實(shí)驗(yàn)室中的材料研究和工藝開發(fā)

產(chǎn)品類別：

等離子蝕刻

ICPECVD 系統(tǒng)

原子層沉積系統(tǒng)

用于等離子蝕刻和沉積的集群配置

質(zhì)量控制計(jì)量

橢圓偏振光譜儀

光譜反射計(jì)

激光橢偏儀

原位計(jì)量/端點(diǎn)檢測

優(yōu)勢特點(diǎn)：高密度等離子體: 產(chǎn)生高離子密度和低離子能量分布均勻的等離子體

納米結(jié)構(gòu)損傷小: 由于離子能量分布較低，可以實(shí)現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)

簡單高速腐蝕: 高長徑比MEMS用硅的高速率蝕刻

室溫工藝或光滑側(cè)壁的低溫工藝: 可選擇不同的工藝條件

靈活性和模塊化設(shè)計(jì): 可根據(jù)需求進(jìn)行升級和擴(kuò)展

主要應(yīng)用：半導(dǎo)體制造: 用于半導(dǎo)體器件的刻蝕工藝

微電子加工: 用于微電子器件的精細(xì)加工

材料科學(xué): 用于各種材料的表面處理和刻蝕

科學(xué)研究: 用于實(shí)驗(yàn)室中的材料研究和工藝開發(fā)